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Farnell : Les MOSFET en carbure de silicium de 3ème génération de Toshiba sont disponibles

16/03/2023 22h34, par electronique-mag.com

Les nouveaux MOSFET en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1 200 V de Toshiba améliorent l?efficacité et permettent d?économiser de l?espace dans les applications industrielles...

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