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OMRON dévoile de nouveaux relais MOSFET en carbure de silicium (SiC) pour les alimentations haute tension et les applications de test

01/07/2026 17h10, par electronique-mag.com

Les nouveaux dispositifs G3VH de 1 800 et 3 300 V ouvrent la voie à une électrification plus efficace et plus légère Hoofddorp, Pays-Bas, le 1 juillet 2026 - OMRON Electronic Components Europe a lancé ses nouveaux relais G3VH à MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrant des tensions nominales de 3 (...)

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