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Toshiba élargit sa gamme de MOSFET 40 V à canal N conformes à la norme AEC-Q101, proposés en boîtier S-TOGL compact à dissipation thermique optimisée

25/07/2026 09h51, par electronique-mag.com

Permet un montage compact et à haute densité, ainsi qu'une meilleure dissipation thermique, ce qui réduit l'encombrement des équipements automobiles et améliore l'efficacité du système Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») lance le XPJ1R504PB, un MOSFET de puissance à canal N de 40 V, 120 A (...)

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